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    英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,樹立技術新標準
    2022-03-15
    英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列,旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。這些新器件采用薄晶圓技術和創新的封裝,尺寸極小,卻具有顯著的性能優勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列已針對服務器、通訊、便攜式充電器和無線充電等SMPS應用中的同步整流進行了優化。這些功率MOSFET還可在無人機中,應用于小型無刷電機的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知,無人機通常需要尺寸小、重量輕的元器件。

    這些領先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封裝,具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業界極低的導通電阻,能夠進一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封裝,為PCB布局布線提供了更高的靈活性。此外,該解決方案還具有出色的電氣性能,可進一步提高終端應用的功率密度,縮小外形尺寸。同時,系統溫度的降低、性能的提升,也讓熱管理變得更加輕松。這些特性有助于實現更小巧的客戶應用,充分節省空間、降低系統成本,打造易于設計的產品。

    供貨情況

    采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列現已上市:

    ·       PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 m? (ISK024NE2LM5)

    ·       PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 m? (ISK036N03LM5)